Applied Materials AMAT 0040-77771 195mm DPS ESC Assy 0020

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化学机械平坦化 （CMP）在制造微芯片的各个阶段，晶圆的表面必须完全平坦（平坦化）。这样做是为了去除多余的材料，或者为添加下一层电路功能创造一个完全平坦的基础。为此，芯片制造商使用了一种称为化学机械平坦化（CMP）的工艺。CMP通过在晶圆背面施加精确的下压力，并将前表面压在特殊材料的旋转垫上，该旋转垫还含有化学品和研磨剂的混合物，从而去除晶圆正面表面的多余材料并使其平坦化。为确保适量的材料均匀地保留在整个 300 毫米晶圆上，该工艺必须在材料去除过程中施加不同数量的下压力，同时在正确的点停止以避免抛光关键的基础特征。应用材料公司的控制系统连续测量晶圆上多个点的薄膜厚度，并每秒多次调整抛光下压力，以在每个晶圆上产生一致的结果。整个 CMP 过程在短短 60 秒内完成，包括抛光后清洁，在此期间对晶圆进行清洗、冲洗和干燥，然后离开 CMP 系统。?Reflexion? LK Prime? CMPReflexion LK Prime CMP 系统具有使用四个抛光垫、六个抛光头、八个清洁室和两个具有先进工艺控制的干燥室的顺序加工站，可为当今最先进的 CMP 应用提供精密加工和高生产率。Reflexion LK Prime CMP 针对两步 CMP 应用进行了优化，同时保持了 Reflexion LK CMP 的性能。其更高的抛光和清洁能力（Reflexion LK CMP 为 14 个？，而 Reflexion LK CMP 为 7 个？椋┖陀呕木г泊硎剐矶嘤τ玫南惹熬г餐掏铝刻岣吡艘槐，从而将生产率提高了 100%。能够独立使用每个抛光和清洁站，可以灵活地运行顺序、并行或批处理工艺，并在每个压板上实现更大程度的定制。例如，3D NAND较厚的薄膜层和较宽的形貌需要长时间、稳定的抛光。在多个压板上以一系列较短的抛光方式执行这些操作，可实现稳定、可预测的平坦化。这反过来又有助于优化晶圆上的性能并减少缺陷。与 Reflexion LK CMP 系统一样，LK Prime 系统也采用了最新的抛光、清洁和过程控制技术，以确保在满足未来设备节点要求方面实现最高水平的性能。

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