SG·胜游亚洲

    欢迎来到SG·胜游亚洲官网

    欢迎来到SG·胜游亚洲官网

    SG·胜游亚洲

    清空记录

    历史记录

    清空记录

    历史记录

    取消

    清空记录

    历史记录

    SG·胜游亚洲
    产品中心
    ?联系SG·胜游亚洲

    ?电话:15900775930

                          021-68388387

    ?邮箱:jack@93autom.com

    ?地址:上海浦东新区康桥东路1159

                     弄91号 

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    分享到微信

    ×
    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO
    产品详情

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    SG·胜游亚洲主营AMAT TEL LAM?Varian BROOKS MKS?SMC COMET VAT等品牌半导体设备,零件。

    由于FAB设备的部件型号比较多,不能 列举,如果有其它型号的零部件需要,请随时联系SG·胜游亚洲。

    联系电话:021-6838 8387

    SG·胜游亚洲SG·胜游亚洲致力于为国内半导体制造企业提供快速高效的设备,部件,耗材和维修服务。

    我们跟国内外多家设备制造商,经销商,零部件贸易商,晶圆厂,高校,研究所有长期的接触和联系,我们有能力保证品质并提供有竞争力的价格

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    Centura?化学气相沉积(CVD)系统

    核心功能

    电薄膜沉积(SiO?/Si?N?/低k介质)

    多层堆叠工艺

    低温成膜(最低200℃)

    技术规格

    关键工艺

    栅极介电层沉积

    EOT(等效氧化层厚度)<1nm

    漏电流<1×10?? A/cm?

    3D NAND应用

    典型叠层结构:

    - ON层(SiO?/Si?N?

    - 厚度均匀性±2%

    - 应力控制<200MPa

    行业应用案例

    ▌英特尔Intel 4工艺

    高k栅极介电层沉积

    驱动电流提升22%

    ▌长江存储128层3D NAND

    ON叠层沉积

    晶圆级厚度偏差<1.5%

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    分享到微信

    ×
    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO
    15900775930
    产品详情

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    SG·胜游亚洲主营AMAT TEL LAM?Varian BROOKS MKS?SMC COMET VAT等品牌半导体设备,零件。

    由于FAB设备的部件型号比较多,不能 列举,如果有其它型号的零部件需要,请随时联系SG·胜游亚洲。

    联系电话:021-6838 8387

    SG·胜游亚洲SG·胜游亚洲致力于为国内半导体制造企业提供快速高效的设备,部件,耗材和维修服务。

    我们跟国内外多家设备制造商,经销商,零部件贸易商,晶圆厂,高校,研究所有长期的接触和联系,我们有能力保证品质并提供有竞争力的价格。

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    Centura?化学气相沉积(CVD)系统

    核心功能

    电薄膜沉积(SiO?/Si?N?/低k介质)

    多层堆叠工艺

    低温成膜(最低200℃)

    技术规格

    关键工艺

    栅极介电层沉积

    EOT(等效氧化层厚度)<1nm

    漏电流<1×10?? A/cm?

    3D NAND应用

    典型叠层结构:

    - ON层(SiO?/Si?N?

    - 厚度均匀性±2%

    - 应力控制<200MPa

    行业应用案例

    ▌英特尔Intel 4工艺

    高k栅极介电层沉积

    驱动电流提升22%

    ▌长江存储128层3D NAND

    ON叠层沉积

    晶圆级厚度偏差<1.5%

    AMAT 0140-11365 HARNESS ASSY P2 CONN ESC MAG CURRNT FO

    SG·胜游亚洲(中国区)官方网站

    相关产品

    主要科技、品质优良

    选择区号
    ?

    复制成功

    ×
    sitemap网站地图